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參數資料
| 型號： | FSAM10SH60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA32 |
| 文件頁數： | 6/17頁 |
| 文件大小： | 349K |
| 代理商： | FSAM10SH60 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
-
October 2001
Absolute Maximum Ratings
Thermal Resistance
Electrical Characteristics
Inverter Part
(T
j
= 25°C, Unless Otherwise Specified)
Note
2. t
and t
include the propagation delay time of the internal drive IC. t
C(ON)
and t
C(OFF)
are the switching time of IGBT itself under the given gate driving condition
internally. For the detailed information, please see Fig. 4.
Item
Symbol
R
th(j-c)Q
Condition
Min. Typ.
-
Max.
-
Unit
°C/W
Junction to Case Thermal
Resistance
Each IGBT under Inverter Operating Condition
Each FWDi under Inverter Operating Condition
-
R
th(j-c)F
-
-
-
°C/W
Contact Thermal
Resistance
R
th(c-f)
Ceramic Substrate (per 1 Module)
Thermal Grease Applied
-
-
-
°C/W
Item
Symbol
V
CE(SAT)
Condition
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
0.37
0.12
0.53
0.2
0.1
-
Max.
2.8
2.9
2.3
2.1
-
-
-
-
-
250
Unit
V
V
V
V
us
us
us
us
us
uA
Collector - emitter
Saturation Voltage
V
CC
= V
BS
= 15V
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
I
C
= 10A, T
j
= 25°C
I
C
= 10A, T
j
= 125°C
I
C
= 10A, T
j
= 25°C
I
C
= 10A, T
j
= 125°C
FWDi Forward Voltage
V
FM
Switching Times
t
ON
t
C(ON)
t
OFF
t
C(OFF)
t
rr
I
CES
V
PN
= 300V, V
CC
= V
BS
= 15V
I
C
= 10A, T
j
= 25°C
V
IN
= 5V
0V, Inductive Load
(High-Low Side)
(Note 2)
V
CE
= V
CES
, T
j
= 25°C
Collector - emitter
Leakage Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM10SM60A | SPM (Smart Power Module) |
| FSAM15SH60A | SPM (Smart Power Module) |
| FSAM15SM60A | SPM (Smart Power Module) General Description |
| FSAM15SH60 | SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM15SM60 | SPM (Smart Power Module) General Description |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSAM10SH60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM10SM60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM15SH60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM15SH60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FSAM15SL60 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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