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參數資料
型號: FSAM10SH60
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 運動控制電子
英文描述: 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述: AC MOTOR CONTROLLER, 20 A, DMA32
文件頁數: 16/17頁
文件大?。?/td> 349K
代理商: FSAM10SH60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
-
October 2001
Detailed Package Outline Drawings
相關PDF資料
PDF描述
FSAM10SM60A SPM (Smart Power Module)
FSAM15SH60A SPM (Smart Power Module)
FSAM15SM60A SPM (Smart Power Module) General Description
FSAM15SH60 SPMTM (Smart Power Module)
FSAM15SM60 SPM (Smart Power Module) General Description
相關代理商/技術參數
參數描述
FSAM10SH60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM10SM60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/10A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM15SH60 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM15SH60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V/15A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM15SL60 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A SPM2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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