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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FSAM30SH60A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運(yùn)動(dòng)控制電子 |
| 英文描述： | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 60 A, DMA32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/17頁(yè) |
| 文件大小： | 989K |
| 代理商： | FSAM30SH60A |
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2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, September 2002
Fig. 6. R-T Curve of The Built-in Thermistor
Fig. 7. R
SC
Variation by change of Shunt Resistors (R
SU
, R
SV
, R
SW
) for Short-Circuit Protection
(1) @ around 100% Rated Current Trip (I
C ·
=
·
30A)
(2)
@ around 150% Rated Current Trip (I
C
·
=
·
45A)
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
0
10
20
30
40
50
60
70
R-T Curve
R
]
Temperature [
℃
]
0.00
0.01
0.02
R
SU
,R
SV
,R
SW
[
]
0.03
0.04
0.05
0
20
40
60
80
100
(2)
(1)
R
S
]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM30SM60A | SPMTM (Smart Power Module) General Description |
| FSAM50SM60A | SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM75SM60A | SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAT66L6X | Low Voltage Single SPST Normally Open Analog Switch with TTL Compatible Control Input |
| FSAT66P5X | Low Voltage Single SPST Normally Open Analog Switch with TTL Compatible Control Input |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FSAM30SH60A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:POWER SUPPLY IC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Power Supply IC |
| FSAM30SH60A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SPMTM (Smart Power Module) |
| FSAM30SM60A | 功能描述:IGBT 模塊 600V/30A/ SPM2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSAM30SM60SL | 功能描述:IGBT 模塊 600V/30A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSAM50SM60A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V -50A SMART POWER MODULE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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