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參數資料
| 型號： | FSB50550T |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | Smart Power Module (SPM) |
| 中文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 3.5 A, DMA23 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | FSB50550T |
6
www.fairchildsemi.com
FSB50550T Rev. A
F
Figure 8. Example of Application Circuit
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
(1) COM
(2) V
B(U)
(3) V
CC(U)
(4) IN
(UH)
(5) IN
(UL)
(6) NC
(7) V
B(V)
(8) V
CC(V)
(9) IN
(VH)
(10) IN
(VL)
(11) NC
(12) V
B(W)
(13) V
CC(W)
(14) IN
(WH)
(15) IN
(WL)
(16) NC
(17) P
(18) U, V
S(U)
(19) N
U
(20) N
V
(21) V, V
S(V)
(22) N
W
(23) W, V
S(W)
M
R
1
C
1
15-V
Supply
M
C
3
V
DC
R
1
R
1
C
2
C
2
C
2
R
3
R
4
C
4
R
5
C
5
For 3-phase current sensing and protection
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB560 | NPN Low Saturation Transistor |
| FSB560A | NPN Low Saturation Transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FSB50550TB | 功能描述:IGBT 模塊 500V, 1.2A, SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSB50550TB2 | 功能描述:IGBT 模塊 1.2A 500V SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSB50550U | 功能描述:IGBT 模塊 500V/1.2A Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FSB50550US | 功能描述:IGBT 模塊 500V, 1.2A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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