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參數資料
| 型號： | FSB660A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| 中文描述： | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | FSB660A |
Typical Characteristics
Current Gain vs. Collector Current
1000
125°C
00
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
0.01
0.1
1
10
100
200
300
400
500
600
700
800
900
H
F
25°C
- 40°C
V = 2.0V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
β = 10
Input/Output Capacitance vs.
Reverse Bias Voltage
0.1
0.5
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
1
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
C
V = 2.0V
f = 1.0MHz
C
C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
β = 10
Base-Emitter On Voltage vs.
Collector Current
0.0001
0.001
I - COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
V = 2.0V
PA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB660 | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| FSB6726 | PNP General Purpose Amplifier |
| FSB749 | PNP Low Saturation Transistor |
| FSBB15CH60 | Smart Power Module |
| FSBB20CH60 | Smart Power Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSB660A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB66B0205K-- | 制造商:AVX Corporation 功能描述:TPC MEDIUM POWER CAP,2 UF,10%,850V,BULK,SN/PB - Bulk |
| FSB66B0225K-- | 制造商:AVX Corporation 功能描述:AVX DESIGN WIN PART LOAD - Bulk |
| FSB66B0255K-- | 制造商:AVX Corporation 功能描述:TPC MEDIUM POWER CAP,2.50UF,10%,850V,BULK,SN/PB - Bulk |
| FSB66N0564K-- | 制造商:AVX Corporation 功能描述:AVX DESIGN WIN PART LOAD - Bulk |
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