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參數資料
| 型號： | FSB660A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| 中文描述： | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | FSB660A |
SuperSOT
-3 (FS PKG Code 32)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0097
SuperSOT
TM
-3 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB660 | PNP Low Saturation Transistor(集電極電流達2A的PNP低飽和電壓晶體管) |
| FSB6726 | PNP General Purpose Amplifier |
| FSB749 | PNP Low Saturation Transistor |
| FSBB15CH60 | Smart Power Module |
| FSBB20CH60 | Smart Power Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FSB660A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB66B0205K-- | 制造商:AVX Corporation 功能描述:TPC MEDIUM POWER CAP,2 UF,10%,850V,BULK,SN/PB - Bulk |
| FSB66B0225K-- | 制造商:AVX Corporation 功能描述:AVX DESIGN WIN PART LOAD - Bulk |
| FSB66B0255K-- | 制造商:AVX Corporation 功能描述:TPC MEDIUM POWER CAP,2.50UF,10%,850V,BULK,SN/PB - Bulk |
| FSB66N0564K-- | 制造商:AVX Corporation 功能描述:AVX DESIGN WIN PART LOAD - Bulk |
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