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參數(shù)資料
型號: FXT603SM
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|蘇
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 58K
代理商: FXT603SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FXT605SM TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO
FXT601B TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR
FXT614 Obsolete - alternative part: ZTX614
FXT649 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-237VAR
FXT653 Obsolete - alternative part: ZTX653
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FXT603STOA 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FXT603STOB 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FXT603STZ 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FXT605 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FXT605SM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO
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