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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FZT558 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 0.2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | FZT558 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 2 DECEMBER 1995
FEATURES
*
400 Volt V
CEO
*
200mA continuous current
*
P
tot
= 2 Watt
PARTMARKING DETAIL -
FZT558
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-400
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-400
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Continuous Collector Current
I
C
-200
mA
Power Dissipation
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-400
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
BR(CEO)
-400
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
-100
nA
V
CB
=-320V
V
CE
=-320V
V
EB
=-4V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-6mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
Collector Cut-Off Current
-100
nA
Emitter Cut-Off Current
-100
nA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-0.2
-0.5
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
V
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
-0.9
V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
100
15
300
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Transition
Frequency
f
T
50
MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
C
obo
5
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
95
1600
ns
ns
I
C
=-50mA, V
=-100V
I
B1
=5mA, I
B2
=-10mA
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FZT558
C
C
E
B
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT560 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FZT589 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| FZT591A | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT591 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT593 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZT558TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT558TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT560 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FZT560A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| FZT560TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High V 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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