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參數(shù)資料
| 型號： | FZT591A |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | FZT591A |
SOT223 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 - DECEMBER 2001
FEATURES
Low equivalent on resistance
R
CE(sat)
= 350m
at 1A
PART MARKING DETAIL -
COMPLEMENTARY TYPE -
FZT591A
FZT491A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
-40
V
Collector-Emitter Voltage
-40
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
2
mW
-55 to +150
°C
SYMBOL MIN.
MAX.
UNI
T
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE(sat)
-40
V
I
C
=-100
μ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
μ
A
V
CB
=-30V
V
EB
=-4V
V
CES
=-30V
I
C
=-100mA,I
B
=-1mA*
I
C
=-500mA,I
=-20mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-1A, I
B
=-50mA*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-1mA,
I
C
=-100mA*,
I
C
=-500mA*, V
CE
=-5V
I
C
=-1A*,
I
C
=-2A*,
MHz I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-40
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
-5
V
Collector Cut-Off Current
-100
nA
Emitter Cut-Off Current
-100
nA
Collector-Emitter Cut-Off Current
-100
nA
Collector-Emitter Saturation
Voltage
-0.2
-0.35
-0.5
V
V
V
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
-1.1
V
Base-Emitter Turn-on Voltage
-1.0
V
Static Forward Current Transfer Ratio
300
300
250
160
30
800
Transition Frequency
f
T
150
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FZT591A
1
C
E
B
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT591 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT593 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FZT600 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| FZT603 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| FZT649 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZT591ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT591ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT591TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT591TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT593 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:PNP Silicon High Voltage Transistor |
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