- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377122 > FZT603 (ZETEX PLC) NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FZT603 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | FZT603 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 3 NOVEMBER 1995
FEATURES
*
2A continuous current
*
Useful h
FE
up to 6A
*
Fast Switching
PARTMARKING DETAIL DEVICE TYPE IN FULL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
100
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
80
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
10
V
Peak Pulse Current
I
CM
6
A
Continuous Collector Current
I
C
2
A
Power Dissipation
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
100
240
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
80
110
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
10
16
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.01
10
μ
A
μ
A
V
CB
=80V
V
CB
=80V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=8V
Collector Cut-Off Current
I
CES
10
μ
A
V
CES
=80V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.79
0.80
0.88
0.99
0.86
0.88
0.90
1.00
1.13
V
V
V
V
V
I
C
=0.25A, I
=0.25mA*
I
C
=0.4A, I
=0.4mA*
I
C
=1A, I
B
=1mA*
I
C
=2A, I
B
=20mA*
I
C
=2A, I
B
=20mA
FZT603
C
C
E
B
T
j
=150°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT649 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| FZT651 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTORS |
| FZT653 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| FZT655 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| FZT657 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZT603 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON SOT-223 |
| FZT603TA | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZT603TC | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZT604 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| FZT604TA | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。