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參數資料
| 型號： | FZT589 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | FZT589 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 2 - OCTOBER 1995
PARTMARKING DETAILS -
COMPLEMENTARY TYPES -
FZT589
FZT489
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-50
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-30
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-2
A
Continuous Collector Current
I
C
-1
A
Base Current
I
B
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-50
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-30
V
I
C
=-1m
Α
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
-100
nA
V
CB
=-30V
V
CES
=-30V
V
EB
=-4V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Collector Emitter Cut-Off Current
-100
nA
Emitter Cut-Off Current
-100
nA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-0.35
-0.65
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.2
V
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-1.1
V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
100
100
80
40
300
I
C
=-1mA, V
=-2V*
I
C
=-500mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
100
MHz
Output Capacitance
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMT549 datasheet
C
obo
15
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
FZT589
C
C
E
B
3 - 194
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT591A | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT591 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT593 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FZT600 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| FZT603 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZT589TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT589TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT591 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT591A | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FZT591ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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