- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375994 > FZT853 (ZETEX PLC) NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FZT853 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS |
| 中文描述： | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | FZT853 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
ISSUE 2 - OCTOBER 1995
FEATURES
*
*
*
*
Extremely low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
44m
at 5A
6 Amps continuous current, up to 20 Amps peak current
Very low saturation voltages
Excellent h
FE
characteristics specified up to 10 Amps
PARTMARKING DETAILS -
COMPLEMENTARY TYPES -
DEVICE TYPE IN FULL
FZT851
FZT951
FZT853
FZT953
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FZT851
FZT853
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
150
200
V
Collector-Emitter Voltage
60
100
V
Emitter-Base Voltage
6
6
V
Peak Pulse Current
20
10
A
Continuous Collector Current
6
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
3
W
-55 to +150
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum
FZT851
FZT853
C
C
E
B
3 - 260
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT855 | NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR |
| FZT857 | NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR |
| FZT869 | NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR |
| FZT969 | SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR |
| FZT968 | PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZT853 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 |
| FZT853TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT853TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT855 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR |
| FZT855TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。