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參數資料
| 型號： | GS8170LW72C-300 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Low-Noise Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 35.7西格馬1x1Lp的CMOS的I / O后寫入SigmaRAM |
| 文件頁數： | 14/27頁 |
| 文件大小： | 884K |
| 代理商： | GS8170LW72C-300 |
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GS8170LW36/72C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.03 1/2005
14/27
2002, GSI Technology, Inc.
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
= 1.8 V)
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
AC Test Load Diagram
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
6
7
pF
Parameter
Conditions
Input high level
V
DDQ
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
V
DDQ
/2
Output reference level
V
DDQ
/2
20% tKC
V
SS
– 1.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 1.0 V
50%
V
DD
V
IL
DQ
VT = V
DDQ
/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170LW72C-300I | Low-Noise Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85 |
| GS8170LW72C-333 | Low-Noise Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85 |
| GS832136GE-150IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832136E-200IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832136E-200V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8171DW36AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8171DW36AC-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8171DW36AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209BGA - Trays |
| GS8171DW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8171DW36AGC-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
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