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參數資料
| 型號： | GS8170LW72C-300 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Low-Noise Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 35.7西格馬1x1Lp的CMOS的I / O后寫入SigmaRAM |
| 文件頁數： | 6/27頁 |
| 文件大小： | 884K |
| 代理商： | GS8170LW72C-300 |
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GS8170LW36/72C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.03 1/2005
6/27
2002, GSI Technology, Inc.
Byte Write Control
The Byte Write Enable inputs (Bx) determine which bytes will be written. Any combination of Byte Write Enable control pins,
including all or none, may be activated. A Write Cycle with no Byte Write inputs active is a write abort cycle.
Two Byte Write Control Example with Late Write SigmaRAM
Example of x36 Byte Write Truth Table
Function
W
Ba
Bb
Bc
Bd
Read
H
X
X
X
X
Write Byte A
L
L
H
H
H
Write Byte B
L
H
L
H
H
Write Byte C
L
H
H
L
H
Write Byte D
L
H
H
H
L
Write all Bytes
L
L
L
L
L
Write Abort
L
H
H
H
H
Write A
Write B
Write C
Non-Write
Write D
Write E
A
B
C
D
E
D(A)
D(B)
D(D)
D(E)
D(A)
D(C)
D(E)
CK
Address
ADV
E1
Ba
Bb
DQA0–DQA8
DQB0–DQB8
CQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170LW72C-300I | Low-Noise Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85 |
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| GS832136GE-150IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832136E-200IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832136E-200V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8171DW36AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8171DW36AC-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8171DW36AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209BGA - Trays |
| GS8171DW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8171DW36AGC-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
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