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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832418B-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/46頁(yè) |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418B-200 |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
10/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
U3
TDI
I
Scan Test Data In
U5
TDO
O
Scan Test Data Out
U4
TCK
V
DD
I
Scan Test Clock
J2, C4, J4, R4, J6
I
Core power supply
D3, E3, F3, H3, K3, M3, N3, P3, D5,
E5, F5, H5, K5, M5, N5, P5
V
SS
I
I/O and Core Ground
L4
V
SS
I
I/O and Core Ground
A1, F1, J1, M1, U1, A7, F7, J7, M7,
U7
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS832418/36 119-Bump BGA Pin Description
Pin Location
Symbol
Type
Description
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PDF描述 |
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