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參數資料
型號: GS832418B-200
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述: 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
文件頁數: 26/46頁
文件大小: 1149K
代理商: GS832418B-200
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
Q1
A
Q3
A
Q2
D
Q2c
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
ADSC
BW
G
GW
ADV
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
ADSC initiated read
Suspend Burst
Single Read
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
tKH
tKC
tS tH
tS
tS
tH
DQ
A
–DQ
D
RD1
Hi-Z
Suspend Burst
Flow Through Read Cycle Timing
tH
E
1
masks ADSP
E
1
tS
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