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參數(shù)資料
型號： GS832418B-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
文件頁數(shù)： 39/46頁
文件大小： 1149K
代理商： GS832418B-200
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
39/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
TCK Cycle Time
TCK Low to TDO Valid
TCK High Pulse Width
TCK Low Pulse Width
TDI & TMS Set Up Time
TDI & TMS Hold Time
Symbol
tTKC
tTKQ
tTKH
tTKL
tTS
tTH
Min
50
—
20
20
10
10
Max
—
20
—
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tTKQ
tTS
tTH
tTKH
tTKL
TCK
TMS
TDI
TDO
tTKC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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