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參數資料
| 型號： | GS832418B-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
| 文件頁數： | 27/46頁 |
| 文件大小： | 1149K |
| 代理商： | GS832418B-200 |
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Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
27/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADV
GW
BW
G
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
B
Q2c
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS
tH
tKH
DQ
A
–DQ
D
B
A
–B
D
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS
tH
Hi-Z
Q2
A
Burst wrap around to it’s initial state
WR1
E
1
tS
E
1
masks ADSP
tH
RD1
WR1
RD2
tS tH
A
0
–An
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
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