- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385323 > GS832418C-225I (GSI TECHNOLOGY) 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS832418C-225I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁數： | 27/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1149K |
| 代理商： | GS832418C-225I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
27/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADV
GW
BW
G
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
B
Q2c
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS
tH
tKH
DQ
A
–DQ
D
B
A
–B
D
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS
tH
Hi-Z
Q2
A
Burst wrap around to it’s initial state
WR1
E
1
tS
E
1
masks ADSP
tH
RD1
WR1
RD2
tS tH
A
0
–An
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832418C-250 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832418C-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832436B-133 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832436B-133I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832436B-150 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8324Z36B-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 10NS/4NS 119FBGA - Trays |
| GS8324Z36B-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS8324Z72C200 | 制造商:G.S.I. 功能描述: |
| GS8342D06BD-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342D06BD-500 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。