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參數(shù)資料
型號(hào)： GS832418C-225I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 18 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
文件頁(yè)數(shù)： 5/46頁(yè)
文件大小： 1149K
代理商： GS832418C-225I
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
5/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
GS832418/36/72 209-Bump BGA Pin Description
Pin Location
W6, V6
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs.
W7, W5, V9, V8, V7, V5, V4, V3, U8, U7, U6,
U5, U4, A3, B7, A9, U9
B5
C7
L11, M11, N11, P11, L10, M10, N10, P10, R10
A10, B10, C10, D10, A11, B11, C11, D11, E11
J1, H1, G1, F1, J2, H2, G2, F2, E2
W2, V2, U2, T2, W1, V1, U1, T1, R1
W10, V10, U10, T10, W11, V11, U11, T11, R11
J11, H11, G11, F11, J10, H10, G10, F10, E10
A2, B2, C2, D2, A1, B1, C1, D1, E1
L1, M1, N1, P1, L2, M2, N2, P2, R2
L11, M11, N11, P11, L10, M10, N10, P10, R10
A10, B10, C10, D10, A11, B11, C11, D11, E11
J1, H1, G1, F1, J2, H2, G2, F2, E2
W2, V2, U2, T2, W1, V1, U1, T1, R1
L11, M11, N11, P11, L10, M10, N10, P10, R10
J1, H1, G1, F1, J2, H2, G2, F2, E2
An
I
Address Inputs
A
19
A
20
I
I
Address Inputs (x36/x18 Versions)
Address Inputs (x18 Version)
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
DQ
C1
–
DQ
C9
DQ
D1
–
DQ
D9
DQ
E1
–
DQ
E9
DQ
F1
–
DQ
F9
DQ
G1
–
DQ
G9
DQ
H1
–
DQ
H9
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
DQ
C1
–
DQ
C9
DQ
D1
–
DQ
D9
DQ
A1
–
DQ
A9
DQ
B1
–
DQ
B9
I/O
Data Input and Output pins (x72 Version)
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
C9, B8
B
A
, B
B
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
I/Os; active low
B3, C4
B
C
,B
D
I
Byte Write Enable for DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
(x72/x36 Versions)
Byte Write Enable for DQ
E
, DQ
F
, DQ
G
, DQ
H
I/Os; active low
(x72 Version)
No Connect (x72 Version)
No Connect (x72/x36 Versions)
C8, B9, B4, C3
B
E
, B
F
, B
G
,B
H
I
B5
C7
NC
NC
—
—
W10, V10, U10, T10, W11, V11, U11, T11, R11
J11, H11, G11, F11, J10, H10, G10, F10, E10
A2, B2, C2, D2, A1, B1, C1, D1, E1
L1, M1, N1, P1, L2, M2, N2, P2, R2, C8, B9,
B4, C3
B3, C4
C5, D4, D5, D8, K1, K2, K4, K8, K9, K10, K11,
T4, T5, T7, T8, U3
K3
NC
—
No Connect (x36/x18 Versions)
NC
—
No Connect (x18 Version)
NC
—
No Connect
CK
I
Clock Input Signal; active high
D7
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
C6
E
1
I
Chip Enable; active low
A8
E
3
I
Chip Enable; active low (x72/x36 Versions)
A4
E
2
I
Chip Enable; active high (x72/x36 Versions)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS832418C-250 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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GS832436B-133 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436B-133I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS832436B-150 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS8324Z72C200 制造商:G.S.I. 功能描述:
GS8342D06BD-350 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
GS8342D06BD-500 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
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