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參數資料
型號: GS8662S09E-200
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁數: 10/37頁
文件大小: 960K
代理商: GS8662S09E-200
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1
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Bank 0
Bank 1
Bank 2
Bank 3
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2
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3
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3
Note:
For simplicity BWn is not shown.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
10/37
2005, GSI Technology
Example Four Bank Depth Expansion Schematic
相關PDF資料
PDF描述
GS8662S09E-200I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS8662S09E-250 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
GS88136AD-133 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS88136AT-150 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS88136AT-150I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
相關代理商/技術參數
參數描述
GS8662S09E-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
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GS8662S09E-300 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
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