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參數(shù)資料
型號(hào): GS8662S09E-200
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 24/37頁(yè)
文件大小: 960K
代理商: GS8662S09E-200
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
24/37
2005, GSI Technology
K Controlled Write-First Timing Diagram
NOP
Write A
Read B
Read C
Write D
Write E
Deselect
A
B
C
D
E
A
A+1
D
D+1
E
E+1
A
A+1
D
D+1
E
E+1
B
B+1
C
C+1
CQHQX
CQHQV
KHCQV
KHCQX
KHCQV
KHCQX
KHQZ
KHQV
KHQX
KHQX1
KHDX
DVKH
KHIX
IVKH
KHIX
IVKH
KHIX
IVKH
KHAX
AVKH
KH#KH
KLKH
KHKL
KHKH
K
K
Address
LD
R/W
BWx
D
Q
CQ
CQ
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PDF描述
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