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參數(shù)資料
| 型號： | GS8662S09E-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| 中文描述： | 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 18/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 960K |
| 代理商： | GS8662S09E-200 |
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Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
6
7
pF
Note: This parameter is sample tested.
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
18/37
2005, GSI Technology
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
V
DDQ
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
V
DDQ
/2
Output reference level
V
DDQ
/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = V
DDQ
/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
V
REF
= 0.75 V
AC Test Load Diagram
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–2 uA
2 uA
Doff
I
INDOFF
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
–100 uA
–2 uA
2 uA
2 uA
Output Leakage Current
I
OL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DDQ
–2 uA
2 uA
= 3.3 V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S09E-200I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-250 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS88136AD-133 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-150 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS88136AT-150I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8662S09E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S09E-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
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