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參數(shù)資料
型號(hào): GS8662S09E-200
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
中文描述: 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 25/37頁(yè)
文件大小: 960K
代理商: GS8662S09E-200
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
25/37
2005, GSI Technology
C Controlled Read-First Timing Diagra
m
Read A
Write B
Read C
Read D
Deselect
Deselect
A
B
C
D
B
B+1
B
B+1
A
A+1
C
C+1
D
D+1
CQHQX
CQHCV
CHCQV
CHCQX
CHQX
CHQV
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CHCH#
CHCH
CLCH
CHCL
KHCH
KHDX
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KHIX
IVKH
KHIX
IVKH
KHIX
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KHKH#
KLKH
KHKL
KHKH
K
K
Address
LD
R/W
BWx
D
C
C
Q
CQ
CQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8662S09E-200I 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM
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GS88136AT-150 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS88136AT-150I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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