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參數資料
型號： GS88218
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 為512k × 18，256K × 36 9Mb以上SCD的/雙氰胺同步突發靜態存儲器
文件頁數： 18/37頁
文件大小： 751K
代理商： GS88218
GS88218/36BB/D-333/300/250/200/150
Rev: 1.02 10/2004
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
18/37
2002, GSI Technology
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-333
-300
-250
-200
-150
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x32/
x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
250
40
270
40
230
35
250
35
200
30
220
30
170
25
190
25
140
20
160
20
mA
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
205
25
225
25
185
25
205
25
160
25
180
25
140
20
160
20
130
15
150
15
mA
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
230
20
250
20
210
20
230
20
185
15
205
15
155
15
175
15
130
10
150
10
mA
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
185
15
205
15
170
15
190
15
145
15
165
15
130
10
150
10
120
8
140
8
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Flow
Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
95
100
90
95
85
90
75
80
60
65
mA
Flow
Through
I
DD
65
60
60
65
60
65
50
55
50
55
mA
相關PDF資料
PDF描述
GS88218BB-150 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88218BB-150I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236BD-150 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
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