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參數資料
| 型號： | HUF75829D3 |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFET(18A, 150V, 0.110Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | 18 A, 150 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | HUF75829D3 |
5
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
Typical Performance Curves
(Continued)
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
I
D
= 250
μ
A
160
20
100
1000
3000
0.1
1.0
10
100
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
0
2
4
6
8
10
0
20
30
35
V
G
,
V
DD
= 75V
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 18A
I
D
= 9A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
10
15
25
5
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
HUF75829D3, HUF75829D3S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75829D3S | 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFET(18A, 150V, 0.110Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管) |
| HUF76105DK8 | 5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel,Logic Level UltraFET Power MOSFET(5A, 30V, 0.050 Ω,雙N溝道,邏輯電平,UltraFET功率MOS場效應管) |
| HUF76112SK8 | 7.5A, 30V, 0.006 Ohm, N-Channel Power MOSFET(7.5A, 30V, 0.006 Ω,N溝道功率MOS場效應管) |
| HUF76113DK8 | 6A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel,Logic Level UltraFET Power MOSFET(6A, 30V, 0.032 Ω,雙N溝道,邏輯電平,UltraFET功率MOS場效應管) |
| HUF76113T3ST | 4.7A, 30V, 0.031 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(4.7A, 30V, 0.031 Ω,N溝道,邏輯電平,UltraFET功率MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HUF75829D3S | 功能描述:MOSFET 18a 150V N-Ch 0.110 Ohm UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF75829D3ST | 功能描述:MOSFET 18a 150V N-Ch 0.110 Ohm UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF75831SK8 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:3A, 150V, 0.095 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
| HUF75831SK8T | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF75842P3 | 功能描述:MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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