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參數資料
| 型號： | HUF76113DK8T |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|配對| N溝道| 30V的五（巴西）直| 6A條（丁）|蘇 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 673K |
| 代理商： | HUF76113DK8T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF76121D3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
| HUF76121SK8T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| HUF76129S3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 61A I(D) | TO-262AA |
| HUF76633S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-263AB |
| HUF76639P3T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HUF76113SK8 | 功能描述:MOSFET 6.5a 30V .0.030Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76113SK8T | 功能描述:MOSFET USE 512-FDS6612A Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76113T3ST | 功能描述:MOSFET 4.7a 30V 0.031 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76121D3 | 功能描述:MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.023Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76121D3S | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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