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參數資料
| 型號： | HY29F040A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 為512k × 8位CMOS 5.0伏只，扇區擦除閃存 |
| 文件頁數： | 24/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | HY29F040A |
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24
HY29F040A
AC CHARACTERISTICS
Programming/Erase Operations
Parameter Symbols
JEDEC Standard
Description
-55
-70
-90
-120
-150
Unit
t
AVAV
t
AVWL
t
WLAX
t
DVWH
t
WHDX
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
OES
t
OEH
Write Cycle Time
(1)
Min.
55
70
90
120
150
ns
Address Setup Time
Min.
0
0
0
0
0
ns
Address Hold Time
Min.
40
45
45
50
50
ns
Data Setup Time
Min.
25
30
45
50
50
ns
Data Hold Time
Min.
0
0
0
0
0
ns
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
0
0
ns
Output Read
(1)
Enable Toggle Bit &
Hold Time /Data Polling
(1)
Min.
Min.
0
0
0
0
0
ns
ns
10
10
10
10
10
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write Min.
0
0
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
t
CH
t
WP
t
WPH
/CE Setup Time
Min.
0
0
0
0
0
ns
t
WHEH
t
WLWH
t
WHWL
/CE Hold Time
Min.
0
0
0
0
0
ns
Write Pulse Width
Min.
30
35
45
50
50
ns
Write Pulse Width High
Min.
20
20
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
7
7
7
7
7
m
s
Max.
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
m s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation
Typ.
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
sec
Max.
15
15
15
15
15
sec
t
WHWH3
t
WHWH3
Chip Erase Operation
Typ.
8
8
8
8
8
sec
Max.
120
120
120
120
120
sec
t
VCS
t
VIDR
t
OESP
t
VLHT
t
WPP1
t
WPP2
Vcc Setup Time
(1)
Min.
50
50
50
50
50
m
s
Rise Time to V
ID
/OE Setup Time to /WE Active
(1,2)
(1,2)
Min.
500
500
500
500
500
ns
Min.
4
4
4
4
4
m
s
Voltage Transition Time
(1,2)
Min.
4
4
4
4
4
m
s
Sector Protect Write Pulse Width
(2)
Min.
100
100
100
100
100
m
s
Sector Unprotect Write Pulse Width
(2)
Min.
10
10
10
10
10
m s
t
CSP
/CE Setup Time to /WE Active
(1, 2)
Min.
4
4
4
4
4
ns
Notes:
1. Not 100% tested.
2. These timings are for Sector Protect and/or Sector Unprotect operations.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29F040AC-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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