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參數資料
| 型號： | HY29F040A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 為512k × 8位CMOS 5.0伏只，扇區擦除閃存 |
| 文件頁數： | 34/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | HY29F040A |
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34
HY29F040A
AC CHARACTERISTICS
Write / Erase / Program Operations
Alternate /CE Controlled Writes
JEDEC
Standard
Description
-55
-70
-90
-120
-150
Unit
t
AVAV
t
AVEL
t
ELAX
t
DVEH
t
EHDX
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
OES
t
OEH
Write Cycle Time
(1)
Min.
55
70
90
120
150
ns
Address Setup Time
Min.
0
0
0
0
0
ns
Address Hold Time
Min.
40
45
45
50
50
ns
Data Setup TimeMin.
25
30
45
50
50
ns
Data Hold Time
Min.
0
0
0
0
0
ns
Output Enable Setup Time
Output
Min.
Min.
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns
ns
Read
(1)
Enable
Hold Time
Toggle Bit and
/Data Polling
(1)
Min.
10
10
10
10
10
ns
t
GHEL
t
WLEL
t
EHWH
t
ELEH
t
EHEL
t
WHWH1
t
GHEL
t
WS
t
WH
t
CP
t
CPH
t
WHWH1
Read Recover Time Before Write
/WE Setup Time
/WE Hold Time
/CE Pulse Width
/CE Pulse Width High
Byte Programming Operation
Min.
Min.
Min.
Min.
Min.
Typ.
Max.
Typ.
Max.
0
0
0
30
20
7
1.0
1
15
0
0
0
35
20
7
1.0
1
15
0
0
0
45
20
7
1.0
1
15
0
0
0
50
20
7
1.0
1
15
0
0
0
50
20
7
1.0
1
15
ns
ns
ns
ns
ns
m
s
ms
sec
sec
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation
(2)
t
WHWH3
t
WHWH3
Chip Erase Operation
(2)
Typ.
8
8
8
8
8
sec
Max.
120
120
120
120
120
sec
t
VCS
t
VIDR
t
CESP
t
VLHT
t
WPP1
t
WPP2
t
CSP
V
CC
Set Up Time
(1)
Rise Time to V
ID
/OE Setup Time to /WE Active
(1,2)
Min.
50
50
50
50
50
m
s
(1,2)
Min.
500
500
500
500
500
ns
Min.
4
4
4
4
4
m
s
Voltage Transition Time
(1,2)
Min.
4
4
4
4
4
m
s
Sector Protect Write Pulse Width
(2)
Min.
100
100
100
100
100
m
s
Sector Unprotect Write Pulse Width
(2)
Min.
10
10
10
10
10
ms
/CE Setup Time to /WE Active
(1,2)
Min.
4
4
4
4
4
ns
Parameter
Symbols
Notes:
1. Not 100% tested.
2. These timings are for Sector Protect and/or Sector Unprotect operations.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY29F040AC-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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