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1N6484HE3/97

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  • 型號
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  • 1N6484HE3/97
    1N6484HE3/97

    1N6484HE3/97

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 54810

  • Vishay Semiconductors

  • DO-213AB

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
1N6484HE3/97 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 整流器 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復時間
  • 1.2 us
  • 正向連續電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
1N6484HE3/97 技術參數
  • 1N6484HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6484-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6484-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6483HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6483HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6489US 1N648UR-1 1N6490US 1N649-1 1N6492 1N649UR-1 1N6506 1N6507 1N6508 1N6509 1N6510 1N6511 1N6536 1N6537 1N6538 1N6539 1N6540 1N6541
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