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1N6507_1

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options

1N6507_1 技術參數

1N6507 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售類型:轉向裝置（軌至軌）單向通道:8 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:- 電壓 - 擊穿（最小值）:- 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無應用:以太網不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:14-CDIP 標準包裝:1 1N6506 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售類型:轉向裝置（軌至軌）單向通道:8 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:- 電壓 - 擊穿（最小值）:- 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無應用:以太網不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:14-CDIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:14-CDIP 標準包裝:1 1N649UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6492 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N649-1 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6541 1N6542 1N6543 1N6544 1N6545 1N6546 1N6547 1N6548 1N6549 1N6620 1N6620US 1N6621 1N6621US 1N6621US/TR 1N6622 1N6622US 1N6623 1N6623US