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1N6509_1

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options
1N6509_1 技術參數
  • 1N6509 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:轉向裝置(軌至軌) 單向通道:- 雙向通道:8 電壓 - 反向關態(典型值):- 電壓 - 擊穿(最小值):- 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無 應用:以太網 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-CDIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:14-CDIP 標準包裝:1 1N6508 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:轉向裝置(軌至軌) 單向通道:8 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):- 電壓 - 擊穿(最小值):- 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無 應用:以太網 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-CDIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:14-CDIP 標準包裝:1 1N6507 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:轉向裝置(軌至軌) 單向通道:8 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):- 電壓 - 擊穿(最小值):- 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無 應用:以太網 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-CDIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:14-CDIP 標準包裝:1 1N6506 功能描述:TVS DIODE 14CDIP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:轉向裝置(軌至軌) 單向通道:8 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):- 電壓 - 擊穿(最小值):- 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無 應用:以太網 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-CDIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:14-CDIP 標準包裝:1 1N649UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6543 1N6544 1N6545 1N6546 1N6547 1N6548 1N6549 1N6620 1N6620US 1N6621 1N6621US 1N6621US/TR 1N6622 1N6622US 1N6623 1N6623US 1N6624 1N6624US
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