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1N6622US

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說明
操作

1N6622US
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
1200
N/A
SMD
-
全新原裝數量均有多電話咨詢

1N6622US
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
26958
Microsemi
SMD
22+
-

1N6622US
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
66888
Microsemi
SMD
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

1N6622US
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新庫存現貨電話010-6210493...

1N6622US
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

1N6622US
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
100
MICROSEMI
主營優勢
1719
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100%原裝正品★終端免費供樣★

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 600V 1.2A 2PIN D-5A - Bulk

1N6622US 技術參數

1N6622 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N6621US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.6V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N6621US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6621 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6620US 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 220V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6627 1N6627US 1N6628 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635