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2N6671G

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

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2N6671G 技術參數
  • 2N6671 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6668 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:盒 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:65W 頻率 - 躍遷:20MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:400 2N6667G 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 100mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6667 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 100mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6661JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):90V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:20 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756 2N6758 2N6760 2N6762 2N6764 2N6764T1 2N6766 2N6766T1 2N6768 2N6768T1 2N6770
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