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2N6760TX

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2N6760TX 技術參數
  • 2N6760 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.22 歐姆 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA 標準包裝:1 2N6758 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):490 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA 標準包裝:1 2N6756 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA 標準包裝:1 2N6729 功能描述:DIE TRANS 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:25 2N6727 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 1A,1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 基本零件編號:2N6727 標準包裝:2,000 2N6782 2N6782U 2N6784 2N6784U 2N6788 2N6788U 2N6790 2N6790U 2N6796 2N6796U 2N6798 2N6798U 2N6800 2N6800U 2N6802 2N6802U 2N6804 2N6849
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