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APT31N60BCSG

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT31N60BCSG
    APT31N60BCSG

    APT31N60BCSG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • TO-247B

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • APT31N60BCSG
    APT31N60BCSG

    APT31N60BCSG

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 45

  • APT

  • TO-247

  • 08+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • APT31N60BCSG
    APT31N60BCSG

    APT31N60BCSG

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 15

  • APT

  • TO-247

  • 假一賠十!

  • -
  • 絕對原裝現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
APT31N60BCSG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 31A TO-247
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • CoolMOS™
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
APT31N60BCSG 技術參數
  • APT31M100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8500pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT31M100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8500pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT30SCD65B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):46A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:600μA @ 650V 不同?Vr,F 時的電容:945pF @ 1V, 1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT30SCD120S 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):99A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 30A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:600μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:2100pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT30SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):99A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 30A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:600μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:2100pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC APT3216ZGC APT3216ZGCK APT32F120J APT32M80J APT33GF120B2RDQ2G APT33GF120BRG
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