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APT47N60SCFG

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  • APT47N60SCFG
    APT47N60SCFG

    APT47N60SCFG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • D3S

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • APT47N60SCFG
    APT47N60SCFG

    APT47N60SCFG

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • APT

  • 標準封裝

  • 08+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Super Junction FREDFET
APT47N60SCFG 技術參數
  • APT47N60SC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7015pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 供應商器件封裝:D3 [S] 標準包裝:1 APT47N60BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7015pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT47M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT47GA60JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):87A 功率 - 最大值:283W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,47A 電流 - 集電極截止(最大值):275μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.32nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT47F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ APT50DL120HJ
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