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APT50GF60B2RD,APT50GF60BR

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APT50GF60B2RD,APT50GF60BR 技術參數

APT50GF120LRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，50A 功率 - 最大值:781W 開關能量:3.6mJ（開）， 2.64mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:340nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/260ns 測試條件:800V，50A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT50GF120JRDQ3 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:521W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.32nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GF120B2RG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，50A 功率 - 最大值:781W 開關能量:3.6mJ（開）， 2.64mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:340nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/260ns 測試條件:800V，50A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT50DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - DC 正向（If）:50A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 50A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:1200V 電流 - DC 正向（If）:50A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50GP60J APT50GP60JDQ2 APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL