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APT50GS60SRDQ2G

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操作

APT50GS60SRDQ2G
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優勢供應

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode

APT50GS60SRDQ2G 技術參數

APT50GS60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 開關能量:755μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:235nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/225ns 測試條件:400V，50A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 開關能量:755μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:235nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/225ns 測試條件:400V，40A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 93A 415W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:93A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 開關能量:755μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:235nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/225ns 測試條件:400V，50A，4.7 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT50GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關能量:2.14mJ（開），1.48mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:445nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/237ns 測試條件:600V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.55nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6