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APT60S20B2CTG

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APT60S20B2CTG
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
18210
MICROSEMI
Standa..
24+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

APT60S20B2CTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3 Variant
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT60S20B2CTG
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3
MICROSEMIPOWERPRODUCTSGRO
1445
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT60S20B2CTG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
T-MAXB2
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

APT60S20B2CTG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

APT60S20B2CTG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MS
06+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT60S20B2CTG
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場D1棟26A
25
MICROCHIP
TO-247-3
22+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

APT60S20B2CTG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
350
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
DIODE SCHOTTKY 2X75A 200V T-MAX
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列
系列
-
其它有關(guān)文件
STTH10LCD06C View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
-
電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）
2V @ 5A
電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電
1µA @ 600V
電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）
5A
電壓 - (Vr)（最大）
600V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
50ns
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
速度
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
二極管配置
1 對共陰極
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
產(chǎn)品目錄頁面
1553 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
497-10107-2

APT60S20B2CTG 技術(shù)參數(shù)

APT60N60SCSG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:431W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60N60SCSG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:190nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:431W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 44A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60N60BCSG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:431W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60M80L2VRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:590nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13300pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:264 MAX? [L2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60M80JVR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:55A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:870nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14500pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT66F60B2 APT66F60L APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S

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