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APT70SM70J

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT70SM70J
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

APT70SM70J
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
59306
Microsemi Corporation
SOT-227-4, miniBLOC
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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1

您是不是要找： APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L

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APT70SM70J PDF下載

功能描述
POWER MOSFET - SIC
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源極電壓（Vdss）
700V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
49A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
70 毫歐 @ 32.5A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
125nC @ 20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
-
功率 - 最大值
165W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝
SOT-227
標準包裝
1

APT70SM70J 技術參數

APT70SM70B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT70GR65B2SCD30 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:* 輸入類型:* 柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:* 輸入類型:標準柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關）值:18ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:1.51mJ（開），1.46mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:305nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/170ns 測試條件:433V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 開關能量:3.82mJ（開），2.58mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:544nC 25°C 時 Td（開/關）值:33ns/278ns 測試條件:600V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3