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APT75DL60BG

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  • APT75DL60BG
    APT75DL60BG

    APT75DL60BG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • TO-247B

  • 最新批號

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  • 代理此型號，原裝正品現貨！

  • APT75DL60BG
    APT75DL60BG

    APT75DL60BG

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-247-2

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DL - Rail/Tube
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • RECTIFIER MODULE - FAST RECOVERY/FRED
APT75DL60BG 技術參數
  • APT75DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:單相 電壓 - 峰值反向（最大值）:1200V 電流 - DC 正向（If）:75A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT75DF170HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:單相 電壓 - 峰值反向（最大值）:1700V 電流 - DC 正向（If）:75A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT70SM70J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 32.5A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B
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