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APTM60A11FT1G

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  • 型號
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  • 數量
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTM60A11FT1G
    APTM60A11FT1G

    APTM60A11FT1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APTM60A11FT1G
    APTM60A11FT1G

    APTM60A11FT1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
APTM60A11FT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM60A11FT1G 技術參數
  • APTM50UM25SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 149A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):149A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 74.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):364nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17500pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:1 APTM50UM19SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 163A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):163A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 81.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):492nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:1 APTM50UM13SAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 335A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):335A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 167.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):800nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):42200pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50UM09FAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 497A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):497A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 248.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):63300pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50TDUM65PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):51A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTMC120HM17CT3AG APTMC120HR11CT3AG APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG
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