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BSC200P03LSGAUMA1

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    優(yōu)勢(shì)
  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：駱小姐

    電話：18124020586

    地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A

  • 10338

  • Infineon Technologies

  • 25+

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • BSC200P03LSGAUMA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • BSC200P03LSGAUMA1
    BSC200P03LSGAUMA1

    BSC200P03LSGAUMA1

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生

    電話：137602720171348786585218520805148

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 14637

  • Infineon Technologies

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
BSC200P03LSGAUMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC196N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A（Ta），45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19.6 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 42μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC190N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2420pF @ 75V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC190N12NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.6A（Ta），44A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 42μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 60V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.9A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 5.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1
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