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BSP296E6433

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操作

BSP296E6433
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
1327
InfineonTechnology
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

BSP296E6433
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
InfineonTechnologySiemens
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

BSP296E6433NT
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
1800
MOLEX
ROHS
13+
-
全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

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BSP296E6433 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSP296E6433 技術參數

BSP296E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:364pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP296 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:364pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BSP295L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:368pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP295H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:368pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP295E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:368pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327 BSP315PE6327T BSP315PH6327XTSA1 BSP315PL6327HTSA1 BSP316PE6327 BSP316PE6327T BSP316PH6327XTSA1