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JANS1N6115AUS

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  • JANS1N6115AUS
    JANS1N6115AUS

    JANS1N6115AUS

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • JANS1N6115AUS
    JANS1N6115AUS

    JANS1N6115AUS

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 856420

  • MICROSEMI

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨??!

  • JANS1N6115AUS
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    JANS1N6115AUS

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 3429

  • Microchip

  • SOP14

  • 23+

  • -
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  • 1
JANS1N6115AUS PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Bi-Dir 18.2V 500W 2-Pin E-MELF
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Waffle Pack
JANS1N6115AUS 技術參數
  • JANS1N5969US 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N5969CUS 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N5968US 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5000μA @ 4.28V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N5968 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5000μA @ 4.28V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N5819-1 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/586 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):490mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 45V 不同?Vr,F 時的電容:70pF @ 5V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 JANS1N6310D JANS1N6310DUS JANS1N6310US JANS1N6311 JANS1N6311C JANS1N6311CUS JANS1N6311CUS/TR JANS1N6311DUS JANS1N6311US JANS1N6311US/TR JANS1N6312 JANS1N6312C JANS1N6312CUS JANS1N6312CUS/TR JANS1N6312D JANS1N6312DUS JANS1N6312US JANS1N6312US/TR
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