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STL25N15F3/BKN

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STL25N15F3/BKN 技術(shù)參數(shù)
  • STL25N15F3 功能描述:MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（6x5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL24NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.3A（Ta），16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:215 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL24N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1055pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL23NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:92A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2 STL33N65M2 STL-3-450-3-01 STL-3-450-8-01 STL34N65M5 STL-350-3-01 STL-350-8-01 STL35N15F3 STL35N6F3 STL-3-600-3-01 STL-3-600-8-01 STL36DN6F7
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