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BSS16

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BSS16 技術(shù)參數(shù)

BSS159NL6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS159NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS159NH6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS159NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:39pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS159NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS192PE6327T BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327XTSA1 BSS192PL6327HTSA1 BSS205N H6327 BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1