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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IHD 680 |
| 廠(chǎng)商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/24頁(yè) |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | IHD 680 |
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IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 1
Intelligenter Halbbrücken-Treiber
für IGBTs und Power-MOSFETs
Beschreibung
Die intelligenten Halbbrücken-Treiber
der IHD-Typenreihe sind speziell für
die zuverlssige Ansteuerung und den
sicheren Schutz eines IGBT- oder
Power-MOSFET-Paares
worden.
entwickelt
Alle intelligenten Treiber der IHD-
Typenreihe sind zueinander anschlu-
kompatibel und unterscheiden sich nur
in der Treiberleistung.
Zwischen den Steuereingngen der
beiden
Kanle
logische
Verknüpfung
gegenseitige
Verriegelung.
Ansteuerbausteine sind somit sehr universell und knnen sowohl für Halb-
brücken-, Asymmetrische Halbbrücken- und Mittelpunkt-Schaltungen als auch
für alle weiteren PWM-Wandler und Resonanz-Topologien verwendet werden.
besteht
keinerlei
oder
Die
Besondere Merkmale
Anwendungen
Geeignet für IGBT's und Power-MOSFET's
Schützt die Leistungstransistoren
Extrem zuverlssig, hohe Lebensdauer
Hoher Ansteuerstrom von +/- 1,5A bis +/- 8A
Galvanische Trennung 4000Vac
Zustandsrückmeldung galvanisch getrennt
Speisungs- und Selbstüberwachung
Taktfrequenz DC bis MHz
Taktverhltnis: 0...100%
Extrem strsicher, garantiert min 50'000V/
m
s
Forschung
Verkürzt die Entwicklungszeit
Wandler
Wechselrichter
Antriebstechnik
Traktion
Bahnstromversorgungen
Umrichter
Energietechnik
Getaktete Netzgerte
Rntgen- und Lasertechnik
DC/DC-Wandler
HF-Generatoren
und
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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