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參數資料
| 型號： | IRF151CHIP |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 40A條（?。﹟芯片 |
| 文件頁數： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 661K |
| 代理商： | IRF151CHIP |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
40
80
120
160
200
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
VG
VDS= 24V
ID= 140A
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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